一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

　　Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；

　　在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。

　　上圖是一張光刻機的簡易工作原理圖。下面，簡單介紹一下圖中各設(shè)備的作用。

　　測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是本次所說的雙工作臺。

　　光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。

　　能量控制器：控制終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質(zhì)量。

　　光束形狀設(shè)置：設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，不同的光束狀態(tài)有不同的光學(xué)特性。

　　遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到硅片。

　　能量探測器：檢測光束終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進行調(diào)整。

　　掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬美元。

　　掩膜臺：承載掩模版運動的設(shè)備，運動控制精度是nm級的。

　　物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計難度大，精度的要求高。

　　硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產(chǎn)率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的坐標系，根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。

　　內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。

　　光刻機性能指標：

　　光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。

　　分辨率是對光刻工藝加工可以達到的細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。

　　對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

　　曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

　　曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準分子激光器等。

　　光刻機的作用：

　　光刻機是微電子整備的空頭，其具有技術(shù)難度高、單臺成本大、決定集成密度等特點。

　　標簽：深圳激光刻碼機