1 光源。光刻機(jī)需要體積小，但功率高而穩(wěn)定的光源。EUV光刻機(jī)光源功率還不夠，長春光機(jī)所造出的光源功率只有12W，ASML的光源功率達(dá)250W基于375W。

　　2 物鏡。特殊材料，無缺陷，能精確控制來補(bǔ)償光路畸變。

　　3 對(duì)準(zhǔn)。 對(duì)準(zhǔn)精度要求小于1nm。對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的主要功能就是將工件臺(tái)上硅片的標(biāo)記與掩膜版上的標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。

　　4 光刻膠。EUV光刻膠，國內(nèi)只有一個(gè)公司在研究。

　　5 提高分辨率的技術(shù)：降低光源波長(EUV)、雙重成像技術(shù)、高折射率浸沒式光刻技術(shù)

　　6 可能有前景的技術(shù)：納米壓印技術(shù)以及無掩模版電子束成像技術(shù)

　　標(biāo)簽：深圳激光刻碼機(jī)