如果想達(dá)到比光刻機極限尺寸更小的尺寸，有一些比較巧妙的方法

　　一種，光刻膠刻蝕法。用正膠光刻，光刻膠涂厚點，比如光刻出1.5微米的線條，然后用去膠機(氧等離子體)刻光刻膠，然后光刻圖形會縮小，如果吃掉0.5微米的光刻膠，那么就可以做出0.5微米的線條了。

　　二種，側(cè)墻(spacer)的方法。就是用光刻臺階-保形淀積-刻蝕 形成spacer，一般來說可以做到一二百納米的線條。

　　三種，氧化的方法。如果是做Si基的器件，可以先刻蝕出線條，再用熱氧化-腐蝕氧化層的方法進(jìn)一步減小線條尺寸。

　　這三種方法是研究中比較常見的辦法，比較巧妙，但是工藝略微復(fù)雜，耗費的精力比較多，器件的穩(wěn)定性和一致性會有所損失。如果要做更小的尺寸，可以考慮用電子束光刻機，這個比較快出結(jié)果，但是花費多一些，光刻面積的效率比較低。

　　標(biāo)簽：深圳激光刻碼機